Поиск
Результаты поиска
16 GB, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1,35 В XMP&..
510ТМТ
8 GB, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1,5 ВОсновные хар..
150ТМТ
500 ГБ, М.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 33..
660ТМТ
250 ГБ, М.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2100/1100 МБа..
450ТМТ
Показано с 1 по 4 из 4 (всего 1 страниц)